تامین کنندگان خازن فیلم Igbt Snubber

خازن های فیلم اسنابر IGBT از طریق چندین نقش کلیدی در بهبود عملکرد و قابلیت اطمینان ترانزیستورهای دوقطبی گیت عایق (IGBT) در سیستم های الکترونیک قدرت نقش اساسی دارند:
سرکوب سنبله ولتاژ: در طول انتقال سوئیچینگ IGBT ها، افزایش ولتاژ می تواند به دلیل اندوکتانس های انگلی در مدار رخ دهد. خازن های فیلم اسنابر IGBT به موازات IGBT متصل می شوند تا این نوک ولتاژ را جذب کنند و به طور موثر آنها را سرکوب کرده و ترانزیستور را در برابر فشار بیش از حد ولتاژ محافظت کنند. این به جلوگیری از خرابی زودرس IGBT کمک می کند و خطر خرابی دستگاه را به حداقل می رساند.
کاهش تلفات سوئیچینگ: افزایش ولتاژ در طول رویدادهای سوئیچینگ IGBT می تواند منجر به افزایش تلفات سوئیچینگ شود که می تواند کارایی و قابلیت اطمینان سیستم را کاهش دهد. خازن های اسنابر با ارائه یک مسیر کم امپدانس برای نوک ولتاژ، به کاهش دامنه و مدت زمان گذرای ولتاژ کمک می کنند و در نتیجه تلفات سوئیچینگ مرتبط با رویدادهای خاموشی IGBT را کاهش می دهند. این منجر به بهبود راندمان کلی سیستم و کاهش تنش حرارتی در IGBT می شود.
Ringing Damping: IGBT ها می توانند پدیده های زنگ را در هنگام خاموش شدن به دلیل برهم کنش بین اندوکتانس های انگلی و خازن های مدار نشان دهند. این زنگ می تواند منجر به فشار ولتاژ بیش از حد بر روی IGBT شود و به طور بالقوه باعث خرابی دستگاه شود. خازن های اسنابر برای کاهش نوسانات زنگ با ایجاد یک مسیر تخلیه کنترل شده برای انرژی ذخیره شده در مدار طراحی شده اند و در نتیجه از افزایش ولتاژ جلوگیری می کنند و از IGBT در برابر استرس بیش از حد محافظت می کنند.

پیشرفت‌ها در فناوری خازن‌ها، از جمله توسعه مواد جدید فیلم و تکنیک‌های ساخت، به طور قابل‌توجهی به بهبود عملکرد و قابلیت اطمینان خازن‌های اسنابر IGBT در الکترونیک قدرت کمک می‌کند:
مواد دی الکتریک بهبود یافته: استفاده از مواد دی الکتریک پیشرفته با خواص پیشرفته، مانند استحکام دی الکتریک بالاتر، تلفات دی الکتریک کمتر و ویژگی های خود ترمیم بهتر، می تواند عملکرد و قابلیت اطمینان خازن های اسنابر IGBT را به طور قابل توجهی بهبود بخشد. به عنوان مثال، استفاده از مواد جدیدتر فیلم پلیمری، مانند پلی پروپیلن (PP) یا پلی اتیلن ترفتالات متالیز شده (PET)، می تواند خواص الکتریکی برتری را در مقایسه با مواد سنتی ارائه دهد که منجر به کاهش ESR (مقاومت سری معادل) و بهبود قابلیت های مدیریت ولتاژ می شود.
رتبه‌بندی‌های ولتاژ بالاتر: پیشرفت‌ها در فناوری خازن، توسعه خازن‌های snubber IGBT با رتبه‌بندی ولتاژ بالاتر را امکان‌پذیر می‌سازد و به آن‌ها اجازه می‌دهد تا ولتاژهای اوج بالاتر و رویدادهای گذرا که معمولاً در کاربردهای الکترونیک قدرت با آن مواجه می‌شوند، مقاومت کنند. این امر استحکام و قابلیت اطمینان خازن ها را افزایش می دهد و خطر فشار بیش از حد ولتاژ و خرابی زودرس IGBT ها را کاهش می دهد.
کاهش اندازه و وزن: تکنیک‌های ساخت‌وساز نوآورانه، مانند لایه‌های لایه نازک‌تر، فرآیندهای متالیزاسیون پیشرفته، و الگوهای سیم‌پیچ بهینه، تولید خازن‌های اسنابر IGBT با فاکتورهای شکل کوچک‌تر و کاهش وزن را امکان‌پذیر می‌سازد. این نه تنها باعث صرفه جویی در فضای ارزشمند در سیستم های الکترونیکی قدرت می شود، بلکه مدیریت حرارتی را بهبود می بخشد و قابلیت اطمینان کلی سیستم را با به حداقل رساندن تولید گرما و تنش اجزاء افزایش می دهد.